Offset p-n átmenetet az előre irányban
Abban az esetben, ha egy p-n átmenetet EVN csatlakoztassa a külső feszültség a polaritással ellentétes a polaritás a kapcsolattartó potenciális különbség Uk, egy ilyen kapcsoló úgynevezett közvetlen (n-régió össze van kötve a negatív pólus EVN, és p-régió - a pozitív pólushoz EVN). Ezzel a felvétel p-n átmenet jelenik meg, további külső elektromos mező, amely csökkenti a belső területen. A teljes mező E # 949;, működő átmenet, fogja meghatározni:
Hatása alatt a külső mező a többségi töltéshordozók fog mozogni a p-n átmenet, csökkentve a potenciális gáton, és a szélessége a p-n átmenet, amelyet meghatározott:
Akkor növeli a diffúziós áram, ĸᴏᴛᴏᴩᴏᴇ tette lehetővé azáltal, hogy növeli az energia a bázis töltéshordozó ?? s és csökkentése a potenciális akadályt. Ez vezet zavar közötti egyensúly diffúzió és sodródás áramlatok. A növekvő | EVN | Ez növeli a diffúziós áram.
Amikor | Uk | = | EVN | a vastagsága az átmeneti nullához közelít, mint külső feszültség Uk szinte teljesen kompenzálni. Ebben az esetben a többségi töltéshordozók diffundál szabadon a régió az ellenkező vezetési típusú. Az átmenetet áram folyik, amely az úgynevezett direkt:
A folyamat az adagolás ( „” nagnetaniya „”) ?? s töltéshordozók keresztül p-n átmenetet a régióban, ahol vannak kisebbségi töltéshordozók csökkenése miatt a potenciális akadályt, általában az úgynevezett injekció.
A szimmetrikus p-n átmenetek van kétoldalas injekciót. (Nn = Pp)
Az aszimmetrikus p-n átmenetek (Nd >> Na, Nn >> Pp; vagy Nd <
Beadása réteg, amely viszonylag kis ellenállású úgynevezett emitter; egy réteg, amelyben a kisebbségi töltéshordozók injektáljuk, általában az úgynevezett bázis érte. A közvetlen felvétele átmenet elektronok át n-régiójának a p-régió, mozogni ezen a területen belül, okokból diffúzió és sodródás. Néhány elektronok a mozgás alatt rekombináiódik lyukak p-terület és a többi elfogott területén külső forrásból esik pozitív terminál, ami a kört.
A lyukak, hogy esett a p-régió N-régió rekombinálódnak teljes mértékben n-régióban. Egyenáramú Ipr keresztül szűkített áteresztési ellenállás ohmos p- és n-régiók és az EVN belső ellenállás, miáltal Ilim elérheti meghaladó értékek a megengedett, hogy elpusztítsa a p-n átmenet. Ennek elkerülése érdekében, iPr elemeket kell korlátozni, például ellenállásokat, amely tartalmazza a szekvenciát az p-n átmenetet áramkört. Tekintsük a energia sávban diagramok p-n átmenet hogy egyensúlyi állapotban, és feszítve előre irányba.
Diagram előítéletek nélkül p-n átmenetet.
Energia diagram p-n átmenet előre torzítást.
Ennek hiányában termodinamikai egyensúly úgy határozott, hogy két új értékeket
A külső feszültség a p-n átmenet (előre) eredményez elmozdulása kvázi-Fermi szintek relatív egyensúlyi helyzet. Ha EVN> 0, ez az érték levonódik az Egyesült Királyságban és a szélessége a kiürített tartomány csökken.
Amikor egyenáramú feszültség találkozásánál diffúziós alap töltéshordozó ?? s I0 = Idif növeli exp (EVN / # 966; T), ahányszor által csökkentve a potenciális gáton, és egy az alkalmazott feszültség függvényében:
A sodródás komponense aktuális, amikor egy külső egyenfeszültségű lényegében változatlan marad Idr = const. De mivel az egyensúlyi | Idif | = | IDR |. majd Idr = -I0. A mínusz jel azt mutatja, hogy a jelenlegi felé áramlik a diffúziós áram.
De mivel van egy különbség Ilim Idif és Idr, a
Jelenlegi I0 hívják hősokk vagy fordított telítettség áram. Értékét meghatározni ?? ennogo félvezető (adott koncentrációja) csak attól a hőmérséklettől, és nem függ az alkalmazott feszültség.