Bipoláris és térvezérlésű tranzisztorok
A tranzisztorok amplifikálására alkalmazunk, átalakítás, és villamos jeleket, valamint a digitális technikák.
A „tranzisztor” van kialakítva két angol szó: átutalás - átalakító és ellenállás - ellenállás.
bipoláris tranzisztorok
A „bipoláris” azt jelzi, hogy a művelet a tranzisztor társított folyamatok, amelyek során két típusú töltéshordozók - elektronok és lyukak.
A bipoláris tranzisztor egy félvezető lemez három váltakozó területeken különböző elektromos vezetőképesség (1. ábra), amely forma két sorban - n átmenetet. Minden régiónak a terminálon. Ha a széle régiók túlsúlyban lyuk vezetőképesség és a másodlagos elektron (. 1. ábra), akkor egy ilyen készülék az úgynevezett tranzisztor szerkezete p - n - p. Transistor szerkezetét n - p - N, fordítva, a széleit a területen vannak elrendezve egy elektronikus vezetőképesség, és a köztük - lyukkal vezetőképességű régió (1. ábra, b.).
Ábra. 1 sematikus készülék és grafikus szimbólumot reakcióvázlatokban tranzisztor szerkezet p-n-p és n-p-n.
Összességében (átlag) alsó tartománya tranzisztor nevezzük egy él menti tartományon - emitter, egy második széle területet - kollektor. Ez a három-elektródos a tranzisztor.
Vannak rafting és diffúziós - ötvözött módszerek gyártási tranzisztorok.
Sematikus flotálható egység és a tranzisztor struktúra látható (ábra. 2). A készülék összeszerelt egy fém lemez átmérője kisebb, mint 10 mm. Efölött lemez van hegesztve a chip, amely egy belső terminál bázist, és az alsó - a külső vezetéket is. Belső kollektor és emitter terminálok vannak hegesztve a késedelmet forrasztva az üveg szigetelők és ellátják a külső vezetékeket az elektródok. Minden fém sapka védi a készüléket a sérülésektől és a hatások a fény.
Ábra. 2 készülékek és flotálható tranzisztor szerkezete
szerkezet p - n - p.
Diffúzió kollektor - flotálható tranzisztor szolgál a forrása a félvezető lemez. A felszínen a varrat lemez nagyon közel van egymáshoz két kis izzó szennyező elemek. A melegítés során egy bizonyos hőmérsékleten következik be szigorúan diffúziója szennyező elemek a félvezető lemezen. Ebben az esetben az egyik golyó (3. ábra -. Jobb) képez kollektor területet egy vékony bázis, és a második (3. ábra -. Bal) emitter területet. Ennek eredményeként, az eredeti lemez kapott két félvezető p - n átmenet, alkotó tranzisztor szerkezete p - n - p.
diffúziós - flotálható tranzisztor szerkezete p - n - p.
Üzemmódok A bipoláris tranzisztor.
Minden az átmenet a tranzisztor benne lehet vagy előre vagy fordított irányban. Attól függően, hogy ez különbséget kell tenni négy üzemmóddal a tranzisztor:
cut-off mód - a két p-n átmenetet zárt, így tranzisztoron keresztül jellemzően viszonylag kis áram
telítettség - a két p-n átmenetet nyitott
Aktív üzemmódban - emitter p-n átmenet (VC) nyitva van, és a kollektor p-n átmenet (CP) zárva
Inverz - az emitter p-n átmenet (VC) zárva van, és a kollektor p-n átmenet (KP) nyitott
A levágott és a telítettség mód tranzisztor vezérlő lehetetlen. Hatékony tranzisztor vezérlő végezzük csak az aktív üzemmódban:
Amikor csatlakoztatja az adó negatív áramforráshoz terminál az emitter áram Ie bekövetkezik. Mivel a külső nyomás éri az emitter csomópontjának az előre irányban, elektronok leküzdeni, és esik átmenet a bázis. A bázist készült p-félvezető, az elektronok ezért rá kisebbségi töltéshordozók.
Az arány a kollektor jelenlegi és az emitter aktuális átviteli arány jellemzését
.
Erősítő tranzisztor tulajdonságai abból származnak, hogy a technológiai és funkció.
Erősítő tranzisztor tulajdonságok általában értékelni nagyságú úgynevezett statikus áram együttható. amely oboznachaetsyah21e (vagy β). Ez az arány azt mutatja, hogy hányszor nagyobb a változás a kollektor áram okozta a változást bázis áram. A legtöbb javítható tranzisztorok velichinah21esostavlyaet 10-12 200-300.
A vezérlő tranzisztor ingatlan abban a tényben rejlik, hogy a nagy kollektor árama szabályozható meglehetősen kis bázis áram. Ezen túlmenően, az aktív üzemmódban, egy kis változás a bázis áram egyenesen arányos a nagy változás a kollektor árama: